天成半导体突破14英寸碳化硅单晶制备技术 厚度达30毫米

徽声在线3月29日消息，位于中北高新区的科技企业天成半导体再传捷报。继此前实现12英寸碳化硅单晶材料制备技术双突破后，该企业通过自主创新研发的专用设备，成功攻克14英寸碳化硅单晶材料制备难题，所产晶锭有效厚度达到30毫米。这种大尺寸碳化硅单晶材料作为核心基础材料，将重点应用于高端装备制造领域，为碳化硅功率器件、半导体传感器等设备的核心零部件提供关键支撑。据技术专家介绍，该成果标志着我国在第三代半导体材料领域取得重要进展。（太原日报）