三星电子西安工厂量产236层NAND，加速迈向286层新纪元

据《科创板日报》30日最新消息，三星电子在半导体存储领域迈出了重要一步，其位于西安的工厂已顺利完成工艺升级的首个关键阶段。在此过程中，三星电子果断淘汰了沿用已久的128层（V6）NAND闪存生产线，转而全力投入236层（V8）NAND闪存的大规模量产工作。这一转变不仅彰显了三星电子在技术创新上的决心，也预示着其在存储市场将占据更有利的位置。

据了解，三星电子此次升级并非止步于236层NAND闪存。公司内部正在紧锣密鼓地筹划下一阶段的升级计划，目标直指286层（V9）NAND闪存。按照目前的规划进度，三星电子有望在今年内完成这一重大技术过渡，进一步巩固其在全球NAND闪存市场的领先地位。(ETNews)