三星电子全力冲刺HBM4E研发 首批样品或2026年5月面世
2026-04-17 18:07:26未知 作者:广韵网
《徽声在线》17日最新消息，三星电子目前正集中资源、全力以赴地推进其下一代高带宽内存（HBM）产品的研发工作，意在高端人工智能内存领域进一步扩大并稳固其市场领先地位。据可靠报道，三星电子已制定详细计划，预计最早可在2026年5月成功生产出首批符合英伟达严格标准的HBM4E内存样品。这一消息得到了业内人士的证实，他们透露三星电子对此有着极为明确且紧凑的时间安排。具体而言，三星电子希望在下月中旬之前，其代工部门能够顺利完成HBM4E核心逻辑芯片样品的生产任务，为后续的全面量产和市场推广奠定坚实基础。(ChosunBiz)
