SK海力士或联合台积电3nm工艺打造HBM4E高性能逻辑芯片

最新行业动态显示，SK海力士在下一代HBM4E内存芯片的制造规划上有了新动作。据悉，该公司在核心存储单元部分将继续沿用成熟的10纳米级第六代（1c）DRAM制程技术，而在负责数据处理与控制的逻辑芯片部分，则计划引入台积电最先进的3纳米制程工艺进行生产。这一技术组合策略旨在通过制程差异化实现性能与成本的平衡优化。